Исследование влияния контактирующих слоев на свойства тонкопленочных структур на основе соединения Ge2Sb2Te5 для устройств фазовой памяти

Цель диссертационной работы: определение влияния контактирующих слоев на свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и структур на их основе, и совершенствование технологии фазовой памяти. Объект исследования: тонкопленочные структуры на основе Ge2Sb2Te5. Методы исследования: рентгенофазовый анализ, просвечивающая электронная микроскопия, рентгеноспектральный микроанализ, вторичная ионная масс-спектрометрия, Оже-спектроскопии, атомно-силовая микроскопия, профилометрия, растровая электронная микроскопия, наноидентирование, скретч-тестирование. Практическая значимость подтверждена актами об использовании результатов. Теоретическая значимость обусловлена разработкой методики о оценки кинетических параметров процесса кристаллизации Ge2Sb2Te5 в составе тонкопленочных структур по результатам исследований температурных зависимостей удельного сопротивления. По итогам работы сформулированы рекомендации по оптимизации технологии фазовой памяти, в том числе для реализации многоуровневого запоминающего устройства. Для формирования тонких пленок Ge2Sb2Te5 с оптимальными и воспроизводимыми характеристиками, и высокой надежностью получаемых структур, необходимо использовать метод магнетронного распыления в качестве технологии формирования программируемого слоя Ge2Sb2Te5, а для материала электрода применять вольфрам.