Исследование свойств тонких пленок Ge2Sb2Te5, легированного N

Цель: проведение исследований материалов фазовой памяти и слоистых структур на их основе, разработка физико-технологических принципов построения наноразмерных устройств фазовой памяти, разработка и оптимизация технологии получения прототипа ячейки фазовой памяти. Отработана технология осаждения тонких пленок материалов фазовой памяти методом ВЧ-магнетронного распыления, и изучены их свойства; исследованы химический состав тонких пленок Ge₂Sb₂Te₅, легированного N, структурные свойства тонких пленок Ge₂Sb₂Te₅, легированного N, с помощью метода РФА и влияние на них термообработок; изучены термические свойства тонких пленок Ge₂Sb₂Te₅, легированного N, методом ДСК; оценена кинетика кристаллизации тонких пленок Ge₂Sb₂Te₅, легированного N; исследовано влияние отжига на морфологию поверхности тонких пленок Ge₂Sb₂Te₅, легированного N; измерены вольт-амперные характеристики тонкопленочных образцов Ge₂Sb₂Te₅, легированных Bi, In, Ti и N, в широком температурном диапазоне; исследована взаимосвязь морфологии поверхности и электрофизических характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти при кристаллизации; выбраны наиболее перспективные материалы для устройств фазовой памяти; определены принципы управления свойствами материалов фазовой памяти.