Исследование и разработка методов проектирования кремний-германиевых гетеропереходных МОП-транзисторов для следующего поколения КМОП, КМОП/КНИ и SiGe БиКМОП технологий Проект РФФИ N13-07-01030-а

Проведены исследование и разработка методов проектирования кремний-германиевых гетеропереходных МОП-транзисторов для КМОП, КМОП/КНИ, SiGe БиКМОП технологий следующего поколения с учетом специфики материала кремний-германий. Предложена методика моделирования для гетеропереходных р-канальных (р-ГМОПТ) с кремний-германиевыми (Si₁₋ₓGeₓ) вставками в областях истока и стока (S/D) и длиной затвора 65 нм. В соответствии с предложенной методикой разработаны приборно-технологические модели р-МОПТ с длиной затвора 65 нм на объемном кремнии и р-ГМОПТ с Si₁₋ₓGeₓ вставками в областях истока и стока с долей германия Х = 0,2; 0,3, учитывающих деградацию подвижности дырок от воздействия интегрального потока высокоэнергетических электронов. В TCAD рассчитаны наборы вольтамперных характеристик р-ГМОПТ с длиной затвора 65 нм вставками в областях истока и стока с долей германия Х = 0; 0,2; 0,3. Из смоделированных в TCAD характеристик проведена экстракция параметров схемотехнической модели BSIM4. Разработана схемотехническая модель р-ГМОПТ с длиной затвора 65 нм, учитывающая изменение концентрации германия и деградацию подвижности носителей заряда от воздействия интегрального потока высокоэнергетических электронов. Разработанная схемотехническая модель использована при расчете набора вольтамперных характеристик р-ГМОПТ с длиной затвора 65 нм с различными концентрациями германия для необлученных и облученных электронами транзисторов.