Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания СВЧ кремний-германиевого гетеропереходного биполярного транзистора для интеграции в КМОП маршрут

Объект исследования: гетеропереходный биполярный транзистор (ГБТ). Цель: исследовать различные варианты конструкций ГБТ-модуля, определить вариант интеграции модуля в КМОП-маршрут, варьируя режимы формирования ГБТ модуля для получения необходимых характеристик ГБТ-модуля. Исследованы существующие конструкции SiGe-гетеробиполярного транзистора, выявлены недостатки конструктивно-технологических решений, и предложены методы их устранения. Изучены режимы формирования SiGe-гетеробиполярного транзисторного модуля, установлены зависимости влияния конструктивно-технологических особенностей структуры SiGe-ГБТ на его электрические характеристики. Установлено влияние маршрута изготовления KMOlI-схемы на характеристики SiGe-гетеробиполярного транзистора, предложен модифицированный маршрут изготовления SiGe-гетеробиполярного транзистора. Подтверждено, что основным преимуществом новых технологий на основе SiGe-ГБТ является обеспечение интеграции аналоговых, радиочастотных и цифровых схем на одном кристалле без значительного удорожания производства, что дает больший эффект при производстве новых потребительских изделий.