Исследование и разработка методов проектирования и создания наноэлектронных элементов СБИС и интеллектуальных сенсоров физических величин

Объект исследования - наноэлектронные элементы СБИС и интеллектуальные сенсоры физических величин. Цель исследования - разработка новых методов проектирования наноэлектронных элементов СБИС и интеллектуальных сенсоров физических величин, а также создание приемов их изготовления на основе традиционного технологического процесса. Разработана методология электростатической защиты СВЧ входных и выходных выводов, гальванически развязанных нулевых шин и шин питания для ИМС, содержащей гетероструктурные биполярные и КМОП-транзисторы, основанной на использовании резонансного эффекта связанной интегральной индуктивности и емкости диодов электростатической защиты. Разработаны схемотехнические способы построения энергоэффективных источников питания резонансного типа для управления цифровыми устройствами, выполненными по технологии КНИ. Создана модель трехколлекторного биполярного магнитотранзистора, учитывающая поведение в слабых магнитных полях с учетом начального разбаланса коллекторных напряжений в среде приборно-технологического моделирования Synopsys Sentaurus TCAD. Разработан процесс плазменного травления кремния для формирования наноразмерных элементов ИС и МЭМС, обеспечивающего аспектное отношение 15 и более. Результаты работы могут быть использованы для создания элементной базы и систем на кристалле с конкурентоспособными характеристиками.