Обобщение результатов и оценка перспектив использования полупроводниковых ферромагнитных двумерныхгетероструктур типа квантовая яма с отдаленным нанослоем магнитной примеси и ферромагнитных нанокомпозиционных материалов на основе полупроводников для создания элементной базы спинтроники

Выработаны рекомендации по совершенствованию технологии получения гетероструктур типа квантовая яма InGaAs с отдаленным -слоем Mn. Проведен анализ результатов исследования данных гетероструктур, показавший, что на их основе могут быть созданы спиновые транзисторы, обладающие температурой примерно до 100 К. Предложены рекомендации по совершенствованию технологии получения высокотемпературных ферромагнитных нанокомпозитных материалов на основе полупроводников, предложен метод измерения производной химпотенциала по температуре, подана заявка на патент. Представлены рекомендации по изготовлению чешуйчатых конденсаторных структур методом отшелушивания. На основе исследований магнитных и гальваномагнитных свойств, а также электронно-микроскопических исследований и зондовой микроскопии (магнитосиловая и атомно-силовая), тонких пленок полупроводниковых сплавов GaSb (59%) - MnSb (41%) выявлена природа ферромагнитного упорядочения и уточнена структура данных сплавов с целью определения оптимальных параметров данных структур. На основе результатов измерений производной спиновой намагниченности двумерной системы в зависимости от температуры, магнитного поля и концентрации носителей заряда в системе показано, что намагниченность имеет критический скейлинг, соответствующий квантовому фазовому переходу. Этот факт не позволяет использовать при конечной температуре устройства микроскопического размера на основе двумерного электронного газа в кремнии в качестве спиновых инжекторов.