Моделирование и принципы выращивания гетероструктур на основе широкозонных полупроводников, систем квантовых точек для формирования функциональных структур на основе коллоидных квантовых точек различного назначения. Разработка физико-технологических основ создания и диагностика свойств гетероструктур а-Si:h/c-Si. Разработка методики качественного и количественного анализа компонентного состава плазмы. Исследование особенностей генерации, транспорта и взаимодействия с поверхностью твердого тела

Цель: развитие, теоретическое и экспериментальное исследование базовых элементов технологий синтеза и диагностики электронной компонентной базы для формирования высокотехнологичного сектора электроники (сверхвысокочастотная электроника, электроника экстремальных условий эксплуатации, информационная микроэлектроника, микро- и наносистемная техника). Получены модельные данные о синтезе наноматериалов на основе наночастиц и квантовых точек халькогенидов свинца. Разработана теория, учитывающая ориентационные соотношения при выращивании гетероструктур на основе широкозонных материалов. Оптимизированы базовые элементы технологии получения солнечных элементов для создания фотоэлектрических преобразователей с более высокими значениями КПД. Предложены физико-математические модели и методики качественного и количественного анализа компонентного состава плазмы. Выявлены особенности генерации, транспорта и взаимодействия вещества с поверхностью твердого тела при синтезе различных материалов и структур.