НИОКТР
№ 125060506767-1

Физико-технологические основы синтеза гибридных структур с квантовыми точками и микрорезонаторами для солнечных элементов

29.05.2025

В данном проекте рассматривается эпитаксиальное выращивание микрорезонаторов на основе твердого раствора германия-кремния, совмещенных с квантовыми точками из этого же материала, на подложках кремния, кремний на изоляторе и на поверхности оксида кремния. Интерес к наноструктурам кремния и германия связан с успехами в разработке технологии получения качественных монослойных и многослойных структур, достаточно однородного по размеру массива наноостровков кремния и германия, возможностью уменьшения размеров квантовых точек до значений, обеспечивающих проявление эффектов размерного квантования, совместимостью разработанных методов с существующей высокоразвитой кремниевой технологией. Научная новизна исследований заключается в том, что впервые без использования литографических процессов будут получены многослойные фоточувствительные структуры на основе кремния и германия, объединяющие в себе квантовые точки и микрорезонаторы, для применения в оптоэлектронике.
ГРНТИ
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
НАНОФОТОНИКА
КРЕМНИЙ
ГЕРМАНИЙ
КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ
КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
МИКРОРЕЗОНАТОРЫ
МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ
СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ
ФОТОДЕТЕКТОР
Детали

Начало
30.04.2025
Окончание
31.12.2027
№ контракта
25-12-20004
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 10 500 000 ₽; Средства бюджетов субъектов Российской Федерации: 10 500 000 ₽
Похожие документы
Комплексные исследования мультислойных гетероструктур на основе кремния и двух типов нанокристаллов узкозонных полупроводников для оптоэлектроники и термоэлектроники
0.940
НИОКТР
Гибридные структуры на основе полимеров и нанокристаллов для создания тонкопленочных, малогабаритных и альтернативных источников питания
0.934
НИОКТР
Исследование квантовых свойств тонкопленочных твердотельных наноструктур
0.932
НИОКТР
Физико-технологические основы создания нового поколения гетероструктур для наноэлектроники и нанофотоники (II.2 Комплексная программа фундаментальных научных исследований Сибирского отделения РАН)
0.932
ИКРБС
Исследование особенностей формирования гибридных полупроводниковых наногетероструктур пониженной размерности на пористом кремнии
0.932
НИОКТР
Моделирование и принципы выращивания гетероструктур на основе широкозонных полупроводников, систем квантовых точек для формирования функциональных структур на основе коллоидных квантовых точек различного назначения. Разработка физико-технологических основ создания и диагностика свойств гетероструктур а-Si:h/c-Si. Разработка методики качественного и количественного анализа компонентного состава плазмы. Исследование особенностей генерации, транспорта и взаимодействия с поверхностью твердого тела
0.932
ИКРБС
Структура и механизмы формирования поверхности, границ раздела и дефектов полупроводниковых наносистем
0.931
ИКРБС
Новые элементы энергонезависимой памяти и солнечной энергетики на основе кремнийсодержащих матриц с кремниевыми нанокристаллами
0.930
НИОКТР
Развитие физико-технологических подходов в рамках методов МПЭ и МОС-гидридной эмитаксии формирования слоев М3В5, в том числе на основе многокомпонентных твердых растворов с квазиупорядочением, интегрированных с кремнием
0.928
ИКРБС
Разработка гибких гибридных наноструктур с гетеропереходами для оптоэлектроники: изготовление проводящих слоев и улучшение проводимости изготовленных пленок
0.928
ИКРБС