Разработка физико-химической модели мемристора на основе оксидов металлов

Объект исследования - многослойные наноструктурированные пленки оксидов металлов, обладающие мемристорным эффектом. Цель исследования - разработка технологии атомно-слоевого осаждения наноструктурированных пленок оксидов металлов как базового метода создания структур металл/оксид/металл (мемристоров), проведение их комплексных исследований при вариации технологических параметров, окружающей среды и конструктивных особенностей для оптимизации мемристоров как элементов энергонезависимой памяти. Проведены: разработка физико-химической модели мемристора на основе оксидов Al, Ti, Hf как базового элемента энергонезависимой памяти на основе эффектов переключения сопротивления, включая обоснование механизма переключения и памяти; исследование возможностей оптимизации параметров мемристора (скорость переключения, энергопотребление, стабильность параметров, длительность хранения информации) и технологии его изготовления как базового элемента памяти на основе эффектов переключения сопротивления. Представлены: информация о совместном рабочем семинаре; данные о полученных патентах и международных конференциях.