ИКРБС
№ АААА-Б17-217042540011-7Комплекс опытно-конструкторских работ по российской части научно-технической программы Союзного государства «Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе». Разработка твердотельных лазерных излучателей для дальномеров, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур
19.10.2015
Цель исследования - создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе - конкурентоспособных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений специального и двойного применения для решения широкого круга социально-экономических и оборонных задач государств - участников Союзного государства, в том числе создания импортозамещающих изделий, по своим техническим характеристикам и параметрам отвечающих перспективным требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям, срокам службы и другим эксплуатационным характеристикам и конкурентной продукции рынков государств - участников Союзного государства и мирового сообщества. Создан твердотельный лазерный излучатель для дальномеров, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур. Подготовлены конструкторская документация и технология сборки таких приборов.
ГРНТИ
47.14.17 Проектирование и конструирование радиоэлектронной аппаратуры
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЛАЗЕРЫ
ДИОДНАЯ НАКАЧКА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
ДИАПАЗОН СПЕКТРА
Детали
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Публичное акционерное общество "Светлана"
Похожие документы
Комплекс опытно-конструкторских работ по российской части научно-технической программы Союзного государства «Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе». Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия
0.957
ИКРБС
Разработка мощных непрерывных диодных лазеров на основе гетероструктур и модулей с волоконным выводом на их основе для высокоэффективной торцевой накачки твердотельных лазеров
0.948
ИКРБС
Технология изготовления полупроводникового лазера (λ=2,35 мкм) для сенсоров вредных и промышленных атмосферных газов, датчиков утечек бытового газа, анализаторов выдыхаемой человеком смеси газов
0.943
РИД
Технология изготовления полупроводникового лазера (λ=2,0 мкм) для сенсоров вредных и промышленных атмосферных газов, датчиков утечек бытового газа, анализаторов выдыхаемой человеком смеси газов
0.943
РИД
Технология изготовления полупроводникового дискового лазера (λ=2,2 мкм)
0.943
РИД
Технология изготовления полупроводникового лазера (λ=3,3 мкм) для сенсоров вредных и промышленных атмосферных газов, датчиков утечек бытового газа, анализаторов выдыхаемой человеком смеси газов
0.943
РИД
Технология изготовления полупроводникового лазера (λ=3,7 мкм) для сенсоров вредных и промышленных атмосферных газов, датчиков утечек бытового газа, анализаторов выдыхаемой человеком смеси газов
0.942
РИД
Конструкция полупроводникового лазера (λ=3,7 мкм) для сенсоров вредных и промышленных атмосферных газов, датчиков утечек бытового газа, анализаторов выдыхаемой человеком смеси газов
0.942
РИД
Конструкция полупроводникового лазера (λ=2,35 мкм) для сенсоров вредных и промышленных атмосферных газов, датчиков утечек бытового газа, анализаторов выдыхаемой человеком смеси газов
0.941
РИД
Конструкция полупроводникового лазера (λ=2,0 мкм) для сенсоров вредных и промышленных атмосферных газов, датчиков утечек бытового газа, анализаторов выдыхаемой человеком смеси газов
0.941
РИД