Комплекс опытно-конструкторских работ по российской части научно-технической программы Союзного государства «Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе». Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия

Цель исследования - создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе - конкурентоспособных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений специального и двойного применения для решения широкого круга социально-экономических и оборонных задач государств - участников Союзного государства, в том числе создания импортозамещающих изделий, по своим техническим характеристикам и параметрам, отвечающих перспективным требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям, срокам службы и другим эксплуатационным характеристикам и конкурентной продукции рынков государств - участников Союзного государства и мирового сообщества. Проведена разработка конструкции и технологии изготовления молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с выходной оптической мощностью более 0,1 Вт с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия. Приведено теоретическое обоснование выбранной конструкции гетероструктуры и технологии ее изготовления; проведены исследования свойств полученных образцов гетероструктуры. Выполнена оценка технического уровня разработанных гетероструктур. Проведение ОКР было обосновано необходимостью развития приборной базы полупроводниковой оптоэлектроники для работы в зеленом спектральном диапазоне излучения с рабочей длиной волны 500 - 550 нм.