ИКРБС
№ АААА-Б17-217062980037-9

Разработка технологии жидкофазного нанесения эпитаксиальных буферных слоев токонесущего элемента ВТСП-2 провода с использованием метода магнитной структурной обработки. Обобщение результатов ПНИ

16.06.2017

Цель: построение теоретической модели зародышеобразования и роста эпитаксиальной пленки в методе PAND, обобщение результатов ПНИ и подготовка предложений и рекомендаций по их коммерциализации, а также разработка проекта технического задания на ОТР по теме «Разработка недорогой эффективной технологии производства токонесущего элемента ВТСП-2 провода», включая технические требования и предложения по разработке, производству и эксплуатации продукции с учетом технологических возможностей и особенностей индустриального партнера, разработка бизнес-плана на создание производства недорогих ВТСП-2 проводов по разработанной технологии. Построена теоретическая модель зародышеобразования и роста эпитаксиальной пленки в методе PAND. Обобщены результаты ПНИ, и подготовлены предложения и рекомендации по их коммерциализации. Приведен проект технического задания на ОТР по указанной теме, включающий технические требования и предложения по разработке, производству и эксплуатации продукции с учетом технологических возможностей и особенностей индустриального партнера. Предложен бизнес-план по созданию производства недорогих ВТСП-2 проводов по разработанной технологии.
ГРНТИ
31.15.19 Химия твердого тела
31.15.37 Химия коллоидов. Дисперсные системы
29.29.39 Взаимодействие атомов и молекул с внешними полями и излучением
29.19.11 Дефекты кристаллической структуры
29.19.29 Сверхпроводники
Ключевые слова
МОДЕЛЬ ЭПИТАКСИИ
ВТСП-2 ПРОВОД
ТОКОНЕСУЩИЙ ЭЛЕМЕНТ
РЫНКИ
ТЕХНОЛОГИЯ
МЕТОД PAND.
Детали

НИОКТР
№ 114102740005
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"
Похожие документы
Разработка и создание высокопроизводительной опытно-промышленной технологии получения ВТСП слоя Y(Gd)BaCuO с высокой токонесущей способностью методом направленной кристаллизации аморфных покрытий (этап 1, промежуточный)
0.927
ИКРБС
Разработка и создание высокопроизводительной опытно-промышленной технологии получения ВТСП слоя Y(Gd)BaCuO с высокой токонесущей способностью методом направленной кристаллизации аморфных покрытий (этап 2, промежуточный)
0.926
ИКРБС
Разработка и создание высокопроизводительной опытно-промышленной технологии получения ВТСП слоя Y(Gd)BaCuO с высокой токонесущей способностью методом направленной кристаллизации аморфных покрытий
0.920
НИОКТР
Разработка и создание опытной технологии получения ВТСП слоя Y(Gd)BaCuO с высокой токонесущей способностью методом направленной кристаллизации аморфных покрытий
0.918
НИОКТР
Разработка и создание высокопроизводительной опытно-промышленной технологии получения ВТСП слоя Y(Gd)BaCuO с высокой токонесущей способностью методом направленной кристаллизации аморфных покрытий (этап 3, заключительный)
0.916
ИКРБС
Разработка эффективных процессов МСО для барьерных и верхушечных эпитаксиальных слоев буфера в архитектуре ВТСП-2 проводов
0.914
ИКРБС
Разработка технологий производства исходных материалов и компонентов для опытно-промышленного выпуска длинномерных ВТСП-2 лент, используемых в проекте токамака с реакторными технологиями (ТРТ). Этап 2023-2024 годов. Этап 1
0.914
ИКРБС
Формирование технологического задела и создание опытно-промышленных образцов наноструктуированных материалов для сверхпроводящих систем новой электротехники и систем электродвижения
0.911
ИКРБС
Разработка технологий производства исходных материалов и компонентов для опытно-промышленного выпуска длинномерных ВТСП-2 лент, используемых в проекте токамака с реакторными технологиями (ТРТ). Этап 2023-2024 годов
0.909
НИОКТР
Фундаментальные основы технологии создания эпитаксиальных текстурированных лент-подложек из медных сплавов для ВТСП 2-го поколения
0.908
НИОКТР