Физико-технологические основы роста гетероструктур Ge/Si(100) и формирование на них оптоэлектронных элементов нового поколения (промежуточный, 2017 г.)

Разработаны методы легирования непосредственно в процессе роста слоев германия (Ge) донорной (фосфор) и акцепторной (галлий) примесью при выращивании их на Si(100) подложках методом «горячей проволоки» (Hot Wire CVD). Исследованы структурные, электрофизические и оптические свойства данных структур. Сформированы лабораторные тестовые структуры с p-n - переходом на эпитаксиальных слоях Ge/Si(100), и измерены их спектральные характеристики, а также другие параметры. Сформированы гетероструктуры ферромагнетик/неферромагнитный полупроводник на подложке Si, и получены зависимости степени циркулярно-поляризованной люминесценции и эффективности спиновой инжекции в светоизлучающих диодах на основе гетероструктур CoPt/Al₂O₃/Ge от технологических параметров.