Физико-технологические основы роста гетероструктур Ge/Si(100) и формирование на них оптоэлектронных элементов нового поколения

Проект направлен на решение двух задач. Первая задача состоит в развитие физико-технологических основ роста гетероэпитаксиальных слоев Ge на Si(100) подложках методом разложения моногермана (GeH4) на «горячей проволоке» в высоком вакууме (англ. hot wire chemical vapor deposition, HW CVD) с параметрами, необходимыми для формирования на их основе оптоэлектронных (фотодетекторы и светодиоды) приборов. Планируется провести цикл детальных исследований зависимости структурных, электрофизических оптических свойств эпитаксиальных слоев Ge на Si(100) от условий роста, а также исследовать свойства свето- и фотодиодов на основе данных гетероструктур. Вторая задача направлена на разработку основ по созданию элементов спиновой электроники на базе Ge/Si гетероструктур (излучатель и приемник циркулярно-поляризованного света – спиновый оптрон). Для этого дополнительно будет осаждаться ферромагнитный слой. Планируется исследование комплекса спин-зависимых явлений в указанных гетероструктурах.