Исследование топологических эффектов в полевых нанотранзисторах

Объект исследования: полевой нанотранзистор с FinFET-топологией. Цель: исследовать топологические эффекты при построении полевых нанотранзисторов; разработать конструкцию полевого нанотранзистора с FinFET-топологией канала для СВЧ-диапазона рабочих частот. Результат исследований представляет собой физико-технологический базис для построения наноразмерного полевого транзистора с каналом в виде плавника. Предложена методика формирования наноразмерных каналов в виде наноразмерных кремниевых плавников. Разработан лабораторный измерительный стенд для электрофизических исследований наноразмерных структур типа FinFET. Исследованы электрофизические характеристики канального кремния Si и подзатворного диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью. Проведено исследование процесса утечек через туннельный подзатворный диэлектрик и саморазогрева наноразмерной транзисторной структуры. Результаты позволят ускорить внедрение наноразмерных полевых транзисторов в отечественную микроэлектронику.