Модели и моделирование современных и перспективных полевых транзисторов

Объект исследования - полевые транзисторы (ПТ) на основе кремния (Si) и широкозонного полупроводника - нитрида галлия (GaN). Цель исследования - совершенствование компактной модели МОП-транзистора (МОПТ), направленное на корректный учёт дифференциальной проводимости в режиме насыщения и на аналитический учёт сопротивлений истока и стока, что актуально из-за уменьшения технологических норм производства современных МОПТ до наноразмеров. Разработана компактная модель нелинейного сопротивления вертикальной части стока кремниевого вертикального МОПТ с двойной диффузией (ДМОПТ)с учетом эффекта токов ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ). Разработаны параметризованная геометрическая и улучшенная физическая модели транзистора с высокой подвижностью электронов на основе AlGaN/GaN гетероперехода для моделирования методом конечных элементов в приборно-технологической САПР TCAD Sentaurus компании Synopsys.