ИКРБС
№ 224020200740-7Физика, технология и инженерия дефектов материалов для альтернативных источников энергии, фотовольтаники и сенсорики
31.01.2024
Объектом исследования являются дефекты кристаллической структуры и их влияние на свойства материалов, приводящие к интересным физическим явлениям или существенные для практических применений, в частности, в альтернативных источниках энергии, микроэлектронике, сенсорике и т.д..
Целью работы является развитие «инженерии дефектов», т.е. развитие науки об использовании дефектов для целенаправленной модификации свойств кристаллических материалов.
Результаты работы: Изготовлены образцы некоторых материалов и структур и изучено влияние кристаллических дефектов в них на свойства этих материалов и различные аспекты практического использования этих материалов и структур.
В 2023г работы велись в следующих направлениях:
- Моделирование термодинамических и электрохимических процессов в батареях ТОТЭ на пористом несущем аноде;
- Квантовые эффекты при формировании двойниковой границы в Pb.
- Исследование e-h-рекомбинации в дендритах кремния.
- Атомная структура периодической системы ступеней на Si(557)
- Формирование Zn-содержащих кластеров в имплантированной пленке Si3N4/Si.
Области применения:
Полученные в ходе выполнения НИР в 2023 году результаты служат дальнейшему развитию физики дефектов в конденсированных средах и могут быть использоваться, в перспективе, для создания новых микроэлектронных устройств, устройств альтернативной энергетики, различных сенсоров.
ГРНТИ
29.19.11 Дефекты кристаллической структуры
29.19.04 Структура твердых тел
29.19.15 Фазовые равновесия и фазовые переходы
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
ИНЖЕНЕРИЯ ДЕФЕКТОВ
ВРЕМЯ ЖИЗНИ
ПЕРОВСКИТ
ПОВЕРХНОСТЬ
ГРАНИЦЫ ЗЕРЕН
ДИСЛОКАЦИИ
ТОПЛИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
CОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ
Детали
НИОКТР
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА ИМЕНИ Ю.А. ОСИПЬЯНА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства федерального бюджета: 76 812 598 ₽
Похожие документы
Физика, технология и инженерия дефектов материалов для альтернативных источников энергии, фотовольтаники и сенсорики
0.974
ИКРБС
Физика, технология и инженерия дефектов материалов для альтернативных источников энергии, фотовольтаники и сенсорики
0.968
ИКРБС
Физика, технология и инженерия дефектов перспективных материалов для альтернативных источников энергии, фотоэлектроники и сенсорики
0.960
ИКРБС
Физика, технология и инженерия дефектов в материалах для альтернативных источников энергии, электроники и сенсорики
0.934
НИОКТР
Физика, технология и инженерия дефектов в материалах для альтернативных источников энергии, электроники и сенсорики
0.934
НИОКТР
Развитие представлений о процессах синтеза и свойствах наноразмерных материалов и гетероструктур для электроники и фотоники.
0.900
ИКРБС
Фундаментальные исследования в области разработки технологий создания структур микро – и наносистемной техники 2019
0.900
ИКРБС
Фундаментальные проблемы физики и химии наноструктурированых и нанокомпозитных материалов и приборных структур, физические свойства монокристаллических и неупорядоченных материалов
0.897
ИКРБС
Наноструктурированные полупроводники, дираковские материалы и кристаллы биологически активных веществ для фотоники, спинтроники, квантовых вычислений и биомедицины
0.897
ИКРБС
ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ по теме: Физика кристаллизации и свойства кристаллов и пленок (промежуточный, Этап 2)
0.896
ИКРБС