ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ОПЫТНЫХ ОБРАЗЦОВ ОПТИМИЗИРОВАННЫХ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ HR GAAS:CR СЕНСОРОВ И МИКРОПОЛОСКОВЫХ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО САПФИРА

Объектом исследований являются многоэлементные сенсоры на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr структуры) и монокристаллического сапфира, предназначенные для регистрации высокоэнергетических квантов и заряженных частиц. Цель НИР – оптимизация многоэлементных сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом, а также оценка перспективности использования сенсоров на основе монокристаллического сапфира для инструментального обеспечения международных и отечественных мегасайенс проектов в части регистрации высокоэнергетических квантов и заряженных частиц. В результате выполнения НИР получены результаты: - Выполнен аналитический обзор современной научно-технической литературы, затрагивающей научно-техническую проблему создания радиационно-стойких многоэлементных сенсоров на основе широкозонных полупроводников для регистрации высокоэнергетических квантов и заряженных частиц. - Получены экспериментальные характеристики оптимизированных многоэлементных HR GaAs:Cr сенсоров и микрополосковых сенсоров на основе монокристаллического сапфира. - Разработаны уточненные методики расчета для характеристик оптимизированных многоэлементных HR GaAs:Cr сенсоров и микрополосковых сенсоров на основе монокристаллического сапфира. - Подготовлено техническое предложение на НИОКР по теме радиационно-стойких многоэлементных сенсоров на основе широкозонных полупроводников для регистрации высокоэнергетичных квантов и заряженных частиц. Задачи НИР выполнены в полном объёме.