ИКРБС
№ 222101700032-6РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ЦИФРОВОГО HR GaAs:Cr ДЕТЕКТОРА ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ИНФРАСТРУКТУРЫ СИНХРОТРОННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ И ДРУГИХ “МЕГАСАЙЕНС” ПРОЕКТОВ (заключительный)
11.10.2022
Объектом исследования являются физические процессы в полупроводниковом детекторе на основе высокоомного (High Resisitivity) компенсированного хромом арсениде галлия (HR GaAs:Cr), возникающие под действием ионизирующих излучений.
Цель работы – Разработка методов цифровой фильтрации сигналов для повышения быстродействия и энергетического на основе результатов исследований физических и спектрометрических характеристик HR GaAs:Cr детекторов.
Проведена модификация электронных свойств исходного n-GaAs полупроводникового материала методом компенсации глубоким акцептором. Показано, что компенсированный материал обладает гигантским удельным электрическим сопротивлением > 109 Ом∙см.
Исследована характеристика µτ (где µ - подвижность, τ – время жизни носителей заряда) для носителей заряда обоих знаков в HR GaAs:Cr материале. Установлено предельное временное разрешение детекторных структур на основе HR GaAs:Cr.
Исследованы спектрометрические характеристики детекторов с различными металлическими контактами, определена оптимальная технология формирования контактов металл-полупроводник. На основе полученных экспериментальных и расчетных данных определены параметры цифровой фильтрации для реализации быстродействующей детекторной системы.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.19.25 Взаимодействие проникающего излучения с твердыми телами
Ключевые слова
ИОНИЗИРУЮЩЕЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ДЕТЕКТОР
Детали
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 1 200 000 ₽
Похожие документы
Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения
0.917
Диссертация
Научно-технические основы создания на базе полупроводниковых HR-GaAs:Cr структур мультиспектральных детекторов ионизирующего излучения (промежуточный, этап 1)
0.916
ИКРБС
РАЗРАБОТКА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ОСНОВ ФИЗИКИ И ТЕХНОЛОГИИ РАДИАЦИОННОСТОЙКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР И СОЗДАНИЕ НА ИХ ОСНОВЕ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ДЕТЕКТОРОВ ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ И ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ ИНФРАСТРУКТУРЫ СИНХРОТРОННОГО ЦЕНТРА 4+ ПОКОЛЕНИЯ «СКИФ» И ДРУГИХ “МЕГАСАЙЕНС” ПРОЕКТОВ В РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
0.912
ИКРБС
Научно-технологические основы создания на базе полупроводниковых HR-GaAs:Cr структур мультиспектральных детекторов ионизирующего излучения (промежуточный, этап 2)
0.912
ИКРБС
Разработка арсенид галлиевых сенсоров для матричных рентгеновских детекторов, использующихся в цифровой маммографии и макромолекулярной кристаллографии. Обобщение и оценка результатов исследований (заключительный)
0.910
ИКРБС
РАЗРАБОТКА РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ HR GAAS:CR СЕНСОРОВ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ (заключительный)
0.910
ИКРБС
Отчет о научно-исследовательской работе "РАЗРАБОТКА СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИХ И КООРДИНАТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ЧАСТИЦ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ЭКСПЕРИМЕНТАХ ЯДЕРНОЙ И УСКОРИТЕЛЬНОЙ ФИЗИКИ" промежуточный этап 1
0.907
ИКРБС
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ОПЫТНЫХ ОБРАЗЦОВ ОПТИМИЗИРОВАННЫХ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ HR GAAS:CR СЕНСОРОВ И МИКРОПОЛОСКОВЫХ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО САПФИРА
0.904
ИКРБС
Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GaAs-низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе
0.903
Диссертация
Исследование и разработка элементов для сверхширокополосной локации и приемо- передачи в субтерагерцовом диапазоне частот на основе фотопроводящих структур из высокоомного арсенида галлия и нелинейно-оптических материалов (промежуточный)
0.903
ИКРБС