Фундаментальные и прикладные исследования в области литографических пределов полупроводниковых технологий и физико-химических процессов травления 3D нанометровых диэлектрических структур для развития критических технологий производства ЭКБ. Исследование и построение моделей и конструкций элементов микроэлектроники в расширенном диапазоне температур (от -60С до +300С)

С целью исследования в области литографических пределов полупроводниковых технологий и развития отечественных физико-химических процессов травления 3D нанометровых диэлектрических структур для развития критических технологий производства ЭКБ, а также исследования и построения моделей и конструкций элементов микроэлектроники в расширенном диапазоне температур (от -60 °С до +300 °С) в 2023 г. в рамках темы НИР решались следующие задачи: а) Исследование параметров газовой фазы и кинетики реактивно-ионного травления SiO2 и Si3N4 в условиях индукционного ВЧ (13.56 МГц) разряда при варьировании соотношения HBr/Cl2. б) Исследование влияния соотношения компонентов в смеси HBr+Ar на электрофизические параметры плазмы, стационарные концентрации активных частиц и кинетику реактивно-ионного травления (РИТ) SiO2 и Si3N4 в условиях индукционного ВЧ (13.56 МГц) разряда. в) Исследование влияния соотношения компонентов, вкладываемой мощности и давления газа на электрофизические параметры плазмы, стационарные концентрации активных частиц и кинетику реактивно-ионного травления SiO2 в смесях CF4 + Ar и Cl2 + Ar. г) Исследование эффекта малых (до 20%) замещающих добавок F2, H2 и HF на кинетику и стационарные концентрации нейтральных частиц в плазме 50% CF4 + 50% Ar в условиях, типичных для процессов реактивно-ионного травления кремния и его соединений. д) Рассмотрение результатов разработки дифференциального ОУ, предназначенного для использования в блоках выборки/хранения и умножающих ЦАП ИМС 12-разрядного конвейерного АЦП с тактовой частотой до 100 МГц и температурным диапазоном −60 °С ÷ +100 °С. е) Анализ результатов исследования влияния деградации горячих носителей на электрофизические характеристики мощных LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor) транзисторов, выполненных по технологии «кремний на изоляторе», с длинной областью дрейфа с топологическими нормами 0.5 микрон.