Формирование структурных дефектов в ион-имплантированных разбавленных магнитных полупроводниках

10.01.2018

Проведены измерения рентгеновских фотоэлектронных спектров (XPS) тонкопленочных образцов SnO2, имплантированного ионами Fe, Co, Ni, Cu. На основании измерений обзорных спектров определен состав поверхности. Анализ измерений спектров остовных (внутренних) уровней и их сопоставление со спектрами эталонов позволил определить зарядовое состояние примесных атомов и сделать выводы об их локальной атомной и электронной структуре. Выполнены первопринципные расчеты электронной структуры систем SnO2:Fe, Co, Ni, Cu и расчеты энергий образования различных структурных конфигураций примесных атомов. На основании сопоставления данных численных расчетов электронной структуры и рентгеновских фотоэлектронных спектров сделаны выводы о замещении или внедрении (с образованием металлических кластеров) примесных атомов в кристаллическую решетку SnO2.

ГРНТИ

29.19.24 Электронная структура твердых тел

29.19.31 Полупроводники

45.09.35 Полупроводниковые материалы

Ключевые слова

ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ

ФЕРРОМАГНИТНЫЕ МЕТАЛЛЫ

ДЕФЕКТЫ

РАЗБАВЛЕННЫЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

РЕНТГЕНОВСКИЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА

Детали

НИОКТР

№ АААА-А17-117041110090-9

Заказчик

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ЦЕНТР НАУЧНОЙ ИНФОРМАЦИИ"

Исполнитель

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "УРАЛЬСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ПЕРВОГО ПРЕЗИДЕНТА РОССИИ Б.Н. ЕЛЬЦИНА"

Бюджет

Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 700 000 ₽

Похожие документы

Формирование структурных дефектов в ион-имплантированных разбавленных магнитных полупроводниках

0.944

ИКРБС

Воздействие мощных потоков электромагнитного изучения, потоков плазмы, пучков нейтральных и заряженных частиц на материалы

0.925

ИКРБС

Формирование структурных дефектов в ион-имплантированных разбавленных магнитных полупроводниках

0.917

ИКРБС