Формирование структурных дефектов в ион-имплантированных разбавленных магнитных полупроводниках

22.03.2017

Проект направлен на изучение влияния воздействия мощных потоков электромагнитного излучения на формирование структурных дефектов в конденсированных средах. Особое внимание будет уделено исследованию локальной атомной и электронной структуры примесных атомов 3d-элементов (Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu) в тонкопленочных широкозонных полупроводниках (In2O3, SnO2иGaN). Основное внимание будет уделено изучению структурных конфигураций примесных атомов. Для допирования будет использован метод импульсной ионной имплантации (Е=30 кэВ). Для решения поставленной задачи будут исследованы рентгеновские фотоэлектронные спектры (остовных уровней и валентных полос), которые будут сопоставлены со специально выполненными численными расчетами электронной структуры.

ГРНТИ

45.09.35 Полупроводниковые материалы

29.19.24 Электронная структура твердых тел

29.19.31 Полупроводники

Ключевые слова

ИМПЛАНТАЦИЯ

ДЕФЕКТЫ

РАЗБАВЛЕННЫЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

ПРИМЕСИ 3D-ЭЛЕМЕНТОВ

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА

Детали

Начало

01.01.2017

Окончание

31.12.2019

№ контракта

Н976.22Ф.076/17

Заказчик

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"

Исполнитель

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"

Бюджет

Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 700 000 ₽

ИКРБС

№ 224121000031-2, № 224121000032-9, № 224121000030-5

Похожие документы

Формирование структурных дефектов в ион-имплантированных разбавленных магнитных полупроводниках

1.000

НИОКТР

Формирование структурных дефектов в ион-имплантированных разбавленных магнитных полупроводниках

0.951

ИКРБС

Формирование структурных дефектов в ион-имплантированных разбавленных магнитных полупроводниках