Разработка моделей и методов автоматизации проектирования интегральных схем на основе кремниевых нанотранзисторов

Объект исследования – модели и методы автоматизации проектирования интегральных схем на основе кремниевых нанотранзисторов. Цель работы – исследование, выбор и разработка перспективных моделей и методов в области автоматизированного проектирования электронных изделий с размерами транзисторов 15 нм и ниже. Методы решения задач исследования обусловлены необходимостью разработки моделей и методов проектирования интегральных схем на основе кремниевых нанотранзисторов. Доступные в России открытые PDK для технологий 15 нм и ниже, крайне далеки от производственных, поскольку отсутствуют необходимые технологические и схемотехнические модели для нанотранзисторов и стандартных ячеек. С другой стороны, существующие открытые средства проектирования СБИС не поддерживают даже доступные учебные PDK с FinFET технологией, поэтому необходима разработка или адаптация существующих САПР, поддерживающих новые методы проектирования и новые элементы СБИС. В рамках первого этапа НИР выполнены следующие работы: проведен аналитический обзор научных и информационных источников по теме НИР; исследованы модели и методы топологического и технологического проектирования ИС с технологиями FinFET и GAA-FET; выбраны топологические модели и математические методы на основе SMT для адаптации в маршруте DTCO; исследованы возможности загрузки FreePDK15 в открытый маршрут проектирования OpenLane; проведены расчеты характеристик технологической модели GAA-FET, разработан программный модуль визуализации результатов приборно-технологического моделирования. Разработанные модели и методы могут быть интегрированы в существующие коммерческие и открытые маршруты проектирования.