НИОКТР
№ АААА-А16-116012210180-7Быстродействующие светодиоды и фотодетекторы на основе наноструктурированных диодов Шоттки
15.01.2016
Будет разработан плазмон-поляритонный источник ближнего инфракрасного излучения на основе светоизлучающего диода Шоттки с квантовыми точками InAs или ямами InGaAs в матрице GaAs и тонкой нанометровой металлической пленкой, характеризующийся высоким быстродействием, достигаемым без уменьшения его КПД за счет ускорения излучательной рекомбинации экситонов в квантовых точках или ямах вследствие генерации поверхностных плазмон-поляритонов. Будет разработан быстродействующий химически и радиационно стойкий фотодетектор ближнего инфракрасного диапазона на диоде Шоттки с CVD алмазной пленкой с высокодопированным бором дельта-слоем нанометровой толщины.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
ПЛАЗМОН-ПОЛЯРИТОН
СВЕТОДИОД
ДИОД ШОТТКИ
АЛМАЗ
Детали
Начало
01.01.2016
Окончание
31.12.2018
№ контракта
16-02-00450
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 1 650 000 ₽
Похожие документы
-Разработка, создание и исследование быстродействующего диода Шоттки на базе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия для современной компонентной базы силовой электроники
0.908
НИОКТР
Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния
0.904
НИОКТР
Светоизлучающие, фотодетекторные и фотопреобразовательные структуры ближнего ИК и видимого диапазонов на основе полупроводниковых наноструктур
0.901
НИОКТР
Исследование и разработка быстродействующих фотодетекторов для оптических межсоединений интегральных схем
0.899
ИКРБС
Характеризация структур и устройств фотоники и микроэлектроники на основе перспективных функциональных материалов
0.898
ИКРБС
Разработка однофотонных детекторов на кинетической индуктивности для видимого, ближнего и дальнего инфракрасного диапазонов
0.896
ИКРБС
Создание и исследование фоточувствительных структур на основе контакта металл - широкозонный полупроводник
0.895
Диссертация
Инфракрасная оптоэлектроника на основе узкозонных наногетероструктур полупроводников А3В5
0.895
НИОКТР
Быстродействующие интегральные трансиверы на основе III-V микродисковых лазеров
0.894
НИОКТР
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия
0.894
Диссертация