НИОКТР
№ АААА-А17-117121120050-9

Коллективные явления в электронных и экситонных системах в полупроводниковых наноструктурах

29.11.2017

Изучение перераспределения электронов между слоями и формирования латеральных структур в двухслойных электронных системах в полупроводниковых гетероструктурах и полевых транзисторах. Изучение изменения зарядовых состояний в полевых транзисторах на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs под влиянием СВЧ излучения миллиметрового диапазона длин волн. Изготовление новых субмикронных тонкопленочных структур на основе современных нанотехнологий с целью разработки новых элементов цифровой и квантовой логики, а также элементов спинтроники.Физика сверхпроводящих гетероструктур: макроскопические квантовые эффекты в односвязных, многосвязных и гибридных структурах, контактные явления в сверхпроводниках с сильным спин-орбитальным взаимодействием, релаксация зарядово- и спиново-неравновесных состояний. Вопросы теории двумерного электронного газа в сильном магнитном поле: релаксация спиновой поляризации при произвольных отклонениях спиновой системы от равновесия, краевые состояния двумерного электронного газа и краевые магнитоплазмоны в периодических граничных условиях, влияние магнитного беспорядка на кинетические свойства двумерного электронного газа в магнитном поле.Предполагается исследовать процессы переноса заряда через одиночный контакт к низкоразмерной системе квантовых ям, реализующих двумерный топологический изолятор высокого качества. Исследование многоконтактных структур на основе двумерного топологического изолятора. Исследование гибридных наноструктур нетривиальной топологииРазработка и создание двухзондового атомно-силового микроскопа с улучшенным оптическим доступом. Отработка и развитие сканирующих методик для двухзондового атомно-силового микроскопа. Создание новых наноструктур на основе InAs нанопроволок различного допирования. Исследования электронного транспорта в этих структурах.Исследование высокоподвижных двумерных электронных систем с сильным взаимодействием в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe. Изготовление и исследование новых двумерных электронных и дырочных систем с сильным межчастичным взаимодействием.Оптическая спектроскопия новых двумерных электронных систем на основе GaAs, ZnO, AlAs и GaN. Коллективные плазменные возбуждения в электронных системах с анизотропным спектром и в системах с сильным экранированием.Рамановская спектроскопия однослойных двумерных электронных систем.Когерентная спиновая динамика электронов в нелегированных GaAs квантовых ямах с квазиодномерным электронным каналом.Исследование энергетической и спиновой релаксации электронной системы в квантовых ямах в гетероструктурах на основе ZnSe/BeTe и полумагнитных A2B6 полупроводниках.Корреляционная спектроскопия интенсивностей излучения двумерных электронов в режиме квантового эффекта Холла с пространственным разрешением.Исследование нелинейно-волновых и спиновых свойств Бозе- конденсатов экситонных микрорезонаторных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах.Исследование экситонной системы в Cu2O.Будут произведены экспериментальные исследования различных типов отклика в электронных системах и гибридных структурах новых сверхпроводящих и полупроводниковых материалов, включая органические. Работа включает в себя исследования микроволнового поверхностного импеданса, прецизионные транспортные исследования, шумовую термометрию и спектроскопию.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
СПИНОВЫЙ ЭКСИТОН
ГИБРИДНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
СКАНИРУЮЩИЙ ЗОНДОВЫЙ МИКРОСКОП
ГРАФЕН
НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ
Детали

Начало
01.01.2017
Окончание
31.12.2019
№ контракта
0032-2016-0002
Заказчик
Федеральное агентство научных организаций
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук
Бюджет
Средства федерального бюджета: 133 079 460 ₽
Похожие документы
Коллективные явления в электронных и экситонных системах в полупроводниковых наноструктурах
0.948
НИОКТР
КОЛЛЕКТИВНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ЭЛЕКТРОННЫХ И ЭКСИТОННЫХ СИСТЕМАХ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ
0.937
ИКРБС
Коллективные явления в электронных и экситонных системах в наноструктурах
0.933
НИОКТР
Спектроскопия сверхпроводящих гибридных наноструктур
0.932
ИКРБС
Физика, технология и инженерия дефектов перспективных материалов для альтернативных источников энергии, фотоэлектроники и сенсорики
0.931
НИОКТР
Исследование фундаментальных физических свойств распространения волн различной природы в твердотельных струтурах
0.930
ИКРБС
Теория когерентных спиновых, оптических и электрических явлений в наноструктурах
0.927
НИОКТР
Физические явления в квантовых структурах для компонент наноэлектроники, нанофотоники и спинтроники
0.927
ИКРБС
Исследования фазовых состояний в конденсированных средах и структурах
0.926
НИОКТР
Коллективные явления в электронных и экситонных системах в наноструктурах
0.925
ИКРБС