Собственные и несобственные терагерцовые излучательные процессы в полупроводниковых структурах в условиях генерации неравновесных носителей заряда

Проект направлен на исследование процессов возбуждения терагерцового (ТГц) излучения в условиях генерации неравновесных носителей заряда в полупроводниковых кристаллах и наноструктурах. Значительное внимание будет уделено исследованию микроскопических механизмов формирования несобственной ТГц фотолюминесценции за счет внутрицентровых излучательных переходов при межзонном оптическом возбуждении полупроводников, легированных мелкими примесными центрами. Будет исследована возможность проявления собственного, не связанного с примесями, механизма ТГц фотолюминесценции, обусловленного излучательным захватом неравновесных электронов и дырок в экситоны. Также в проекте будет исследоваться формирование собственной ТГц фотолюминесценции за счет межподзонных излучательных переходов электронов в структурах с нелегированными квантовыми ямами в условиях межзонного фотовозбуждения. При этом ТГц излучательные процессы будут исследоваться в ситуации резонансного заселения или опустошения определенных уровней размерного квантования электронов в квантовых ямах за счет процессов энергетической релаксации с испусканием оптических фононов. Основным методом экспериментальных исследований станет ТГц эмиссионная Фурье-спектроскопия.