Синтез, исследование свойств и приборные применения пленок многослойного графена

Настоящий проект направлен на изучение принципов интеграции фундаментальных свойств многослойного графена в функционал полупроводниковых приборов оптоэлектроники нового поколения.Для достижения указанной цели будет решаться комплекс междисциплинарных задач, включающих: разработку технологий получения графеновых покрытий на поверхности полупроводниковых светоизлучающих диодов и фотоприёмников с применением методов импульсного лазерного нанесения, МОС-гидридной эпитаксии, химического нанесения из суспензий в комбинации с импульсным лазерным отжигом; исследование функциональных свойств графеновых покрытий на поверхности GaAs в зависимости от технологических режимов осаждения; изучение электронных свойств гетероперехода графен/полупроводник GaAs в зависимости от технологических режимов осаждения и свойств полупроводниковой структуры.Выполнение поставленных задач полностью определяется комплексными фундаментальными исследованиями в области химии (для синтеза графеновых покрытий), полупроводниковой технологии (для формирования полупроводниковых приборов) и физических свойств сформированных приборных структур.В результате выполнения исследований будут разработаны лабораторные технологии получения контактных слоёв графена и найдены способы управления его свойствами, сформированы лабораторные образцы светоизлучающих диодов и фотоприёмников, будет показана возможность улучшения энергоэффективности вследствие использования графеновых контактных слоёв.Коллектив исполнителей проекта представляет собой коллаборацию специалистов в каждой из областей междисциплинарного исследования, а руководитель проекта имеет опыт координации совместной работы различных научных направлений. Ожидается, что объединение усилий исполнителей проекта позволит эффективно решить задачи междисциплинарного исследования и интегрировать динамично развивающееся направление физики и технологии графеновых структур в технологию приборов полупроводниковой электроники.