Электронная структура, дефекты и фотоиндуцированные процессы в ионно-имплантированных нанокомпозитных материалах

Проект направлен на решение фундаментальной научной проблемы радиационной физики твердого тела, связанной с изучением электронной структуры, дефектности и оптических свойств нанокомпозитных оксидных материалов на основе SiO2, GeO2, Al2O3 и сложных оксидов, получаемых методами ионно-лучевых технологий. Актуальность проекта определяется возможностью создания новых материалов и функциональных элементов для планарной микро-, оптоэлектроники и нанофотоники. Научная новизна проекта состоит в комплексном изучении природы взаимосвязей "Структура (дефектность) – размерность – спектр электронных состояний – функциональное свойство" ионно-имплантированных нанокомпозитов с использованием комплекса новейших спектроскопических методик и компьютерного моделирования.В результате выполнения проекта будет получена детальная информация о закономерностях формирования электронного строения модифицированных матриц, радиационных дефектов и квантовых точек. Будут получены новые фундаментальные знания о механизмах фотоиндуцированных процессов, особенностях излучательных и безызлучательных релаксаций в зависимости от дефектности и размерных факторов. В конечном счете полученная информация позволит сформулировать технологические рекомендации и оптимизировать функциональные свойства новых материалов с целью реализации их практического применения в оптоэлектронике и фотонике.