Исследование теплоэлектрических процессов в силовых модулях на основе MOSFET- и IGBT-транзисторов

Теоретические исследования тепловых процессов, происходящих в силовом модуле, включают в себя разработку и анализ тепловой модели модуля, использующие пакет физического моделирования COMSOL Multiphysics. Для экспериментальной проверки результатов моделирования тепловых процессов в силовом модуле будут произведены измерения распределения температурных полей по поверхности подложки с помощью тепловизионной камеры высокого разрешения. Повышение точности измерения членов матрицы путем нагрева кристаллов переменной мощностью, изменяющейся по гармоническому закону. Периодический нагрев одного кристалла вызывает распространение по подложке модуля температурной волны. Измерение температурного отклика всех остальных кристаллов позволит определить перекрестные тепловые сопротивления. Измерения будут производиться с помощью аппаратно-программного комплекса, в котором реализован модуляционный метод измерения тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов.