ДИАГНОСТИКА КАЧЕСТВА МОЩНЫХ СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ ПО ТЕПЛОВЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ

Представлены теплоэлектрические модели и проведены расчетные исследова-ния максимального и среднего перегрева транзисторной структуры МБТ и МПТ с дефектами различных видов. Показано, что дефекты приводят к увеличению неод-нородности распределения температуры и проявляются в аномалиях интегральных теплоэлектрических характеристик. Полученные закономерности для МБТ подтвер-ждены экспериментально с использованием измерителя T3Ster, а для МПТ ‒ путем измерения зависимости напряжения затвор-исток от тока стока. Описана установка и предложен алгоритм для измерения напряжения шнуро-вания тока в МБТ без введения испытываемого образца в опасный режим «горячего пятна». Для нескольких типов МБТ получены зависимости теплового сопротив-ления и напряжения шнурования от тока. Описан модуляционный метод и аппаратно-программный комплекс (АПК) для измерения теплового импеданса полупроводниковых приборов,