Гибридные гетероструктуры из функциональных оксидных пленок нанометровой толщины для спинтроники

Перспективными направлениями развития цифровых информационно-коммуникационных технологий является применение спинов, движение которых не вызывает электрических потерь. Использование эпитаксиальных пленок функциональных оксидов: магнитных манганитов, иридатов c сильным спин-орбитальным взаимодействием и гетероструктур на их основе является перспективным направлением созданием новых элементов спинтроники. Оксидные функциональные материалы и границы разделов (интерфейсы) характеризуются богатством функциональных возможностей: образованием двумерного электронного газа, топологически защищенных состояний, управляемых напряженностью фазовых переходов и т.д. В проекте будут созданы гибридные гетероструктуры и экспериментально исследованы в них процессы возбуждения, протекания и детектирования спинового тока. Через механизмы взаимодействия на границе раздела эпитаксиально выращенных тонких пленок оксидных материалов появляется возможность управлять характеристиками всей гетероструктуры. В проекте планируется изучить характеристики роста эпитаксиальных оксидных пленок и гетероструктур, кристаллическую структуру пленок и влияние напряжения пленок, вызванного взаимодействием с подложкой, на электрические характеристики. Будут изучены спин-зависимые электронные транспортные явления в гетероструктурах из эпитаксиальных тонких пленок оксидных материалов. Планируется исследовать процессы, которые вызваны сильным спин-орбитальным взаимодействием. В процессе работы по проекту планируются работы по повышению квалификации молодых ученых, аспирантов и студентов и расширение взаимовыгодной мобильности научного персонала. Результаты исследований будут опубликованы в ведущих научных журналах, представлены на международных конференциях, внедрены в образовательный процесс подготовки высококвалифицированных научных и инженерных кадров.