Магнитные гетероструктуры на основе III-V полупроводников для спинтроники

Приближение предела миниатюризации полупроводниковых приборов смещает парадигму развития информационных технологий к использованию новых физических принципов и функциональных материалов. Одним из наиболее перспективных направлений считается спинтроника, позволяющая добиться значительной энергоэффективности. Для ее развития важны магнитные материалы с уникальными физическими свойствами. Значимым источником таких материалов является электроника на основе оксидов, чья многофункциональность обеспечивает возможность разработки целого ряда технологий. Для приложений эти материалы необходимо интегрировать с полупроводниковыми платформами, среди которых одними из основных являются III-V полупроводники. На сегодняшний день технологии прямой интеграции магнитов с этими полупроводниками разработаны слабо. Настоящий проект предполагает разработку, синтез и исследование свойств новых материалов спинтроники – безбуферных магнитных гетероструктур Eu и EuO с полупроводниками группы III-V.