НИОКТР
№ АААА-А20-120011790126-2

Исследование электронных материалов на основе двумерных слоистых халькогенидов переходных металлов при высоком давлении: электронные свойства и перспективы для термоэлектрических приложений.

08.08.2023

Проект направлен на экспериментальное исследование перспективных материалов со слоистой кристаллической структурой в условиях высоких давлений до 10 ГПа. Объектом исследования являются халькогениды переходных металлов, интеркалаты и твердые растворы на их основе: AgxZrTe2, CuxZrTe2, CuxTiSe2, Zr(Tex,Se1-x)3, VS4, SnSe.В рамках проекта будут получены экспериментальные данные о влиянии высокого давления на термоэлектрические свойства перспективных термоэлектриков. Данные о поведении термоЭДС и электросопротивления позволят уточнить характер проводимости фаз высокого давления, сделать оценки вариации ширины запрещенной зоны под давлением, исследовать электронные переходы и провести исследование комплексного воздействия на электронную зонную структуру интеркаляции и высокого давления.
ГРНТИ
29.03.25 Получение и измерение давлений в физическом эксперименте
29.19.31 Полупроводники
44.41.31 Установки прямого преобразования тепловой энергии в электрическую
29.19.15 Фазовые равновесия и фазовые переходы
Ключевые слова
ВЫСОКИЕ ДАВЛЕНИЯ; ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ; ХАЛЬКОГЕНИДЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ; ЭЛЕКТРОННЫЕ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ; ИНТЕРКАЛАТЫ
Детали

Начало
15.01.2020
Окончание
31.12.2021
№ контракта
20-02-00695/1
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МЕТАЛЛОВ ИМЕНИ М.Н. МИХЕЕВА УРАЛЬСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 1 217 000 ₽
Похожие документы
Исследование электронных материалов на основе двумерных слоистых халькогенидов переходных металлов при высоком давлении: электронные свойства и перспективы для термоэлектрических приложений.
1.000
НИОКТР
Исследование электронных материалов на основе двумерных слоистых халькогенидов переходных металлов при высоком давлении: электронные свойства и перспективы для термоэлектрических приложений
0.983
ИКРБС
Исследование механизма формирования двумерной кристаллической решетки из трехмерной аморфной фазы халькогенидов как основы для разработки перспективных функциональных устройств наноэлектроники
0.924
ИКРБС
Разработка новых термоэлектрических материалов на основе халькогенидов переходных металлов и РЗЭ
0.922
НИОКТР
Термоэлектрические свойства слоистого диcульфида меди-хрома, допированного лантаноидами
0.920
НИОКТР
Разработка слоистых халькогенидов металлов в качестве эффективных термоэлектрических материалов
0.919
НИОКТР
Оптическая спектроскопия слоистых полупроводников, полученных HTHP методом: поиск новых материалов для формирования атомарно-тонких p-n переходов
0.918
НИОКТР
Двумерные материалы и гетероструктуры на их основе для создания новых типов наноустройств и фотовольтаики третьего поколения
0.918
НИОКТР
Двумерные материалы и гетероструктуры на их основе для создания новых типов наноустройств и фотовольтаики третьего поколения
0.918
НИОКТР
Слоистые пленочные структуры на основе анизотропных халькогенидных ван-дер-ваальсовых термоэлектриков A2VB3VI с оптимизированными функциональными особенностями межфазных и межкристаллитных границ и топологическими поверхностными состояниями
0.918
НИОКТР