НИОКТР
№ 123111400030-4Разработка эпитаксиальной технологии роста и технологии постростовой обработки многослойных гетероструктур для мощных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона
09.11.2023
Цель работы: Создание и исследование мощных квантовых каскадных лазеров среднего ИК диапазона с оптимальными энергетическими, пространственными и спектральными характеристиками излучения
Задача : Разработка эпитаксиальной технологии роста многослойных гетероструктур для мощных ККЛ методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
Объект исследования: эпитаксиальная технология роста многослойных гетероструктур для мощных ККЛ методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
Новизна работы и основные технические характеристики:
Создание и исследование мощных квантовых каскадных лазеров среднего ИК диапазона с оптимальными энергетическими, пространственными и спектральными характеристиками излучения является важной научно-технической задачей. Получение многослойных гетероструктур для мощных ККЛ требует разработки технологии эпитаксиального роста методом молекулярно-пучковой эпитакции (МПЭ).
ККЛ в основном разрабатываются с использованием системы материалов InGaAs/InAlAs, выращенных эпитаксиальными методами на монокристаллических подложках InP. Задача роста методом МПЭ напряженно-компенсированных ККЛ InGaAs/InAlAs/InP требует оптимизации условий роста и разработки соответствующей технологии.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.31 Полупроводники
29.33.15 Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
Ключевые слова
квантово-каскадный лазер
наногетероструктура
Детали
Начало
16.06.2023
Окончание
20.10.2025
№ контракта
2023-17/17706413348230000802
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "РОССИЙСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ЯДЕРНЫЙ ЦЕНТР - ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ФИЗИКИ"
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства хозяйствующих субъектов: 73 000 000 ₽
Похожие документы
Исследование технологии эпитаксиального роста структур квантово-каскадных лазеров
0.964
НИОКТР
Разработка технологии создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии компонентов гетероструктур для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм
0.940
НИОКТР
Технология изготовления лазерной туннельно-связанной гетероструктуры для мощных полупроводниковых импульсных лазеров ИК-диапазона
0.940
РИД
Конструкция лазерной туннельно-связанной гетероструктуры для мощных полупроводниковых импульсных лазеров ИК-диапазона
0.939
РИД
Исследование и разработка физико-технологических основ создания наногетероструктур и одномодовых кристаллов квантово-каскадных лазеров среднего ИК-диапазона.
0.939
НИОКТР
Конструкция мощного полупроводникового импульсного лазера на базе туннельно-связанных гетероструктур
0.930
РИД
Физико-технологические принципы создания интегральных многоэлементных фотонных схем на основе полупроводниковых наногетероструктур для мощных источников лазерного излучения с использованием технологии селективной эпитаксии
0.930
НИОКТР
Технология изготовления лазерной гетероструктуры InGaAs/AlGaAs для мощных полупроводниковых импульсных лазеров ИК-диапазона
0.929
РИД
Технология изготовления мощного полупроводникового импульсного лазера на базе туннельно-связанных гетероструктур
0.929
РИД
Поисковые исследования по созданию полупроводниковых источников на основе эффективных зонных дизайнов гетероструктур для систем спектроскопии, визуализации и связи в терагерцовом диапазоне частот
0.926
ИКРБС