Исследование технологии эпитаксиального роста структур квантово-каскадных лазеров

Разработка и исследование квантовых каскадных лазеров среднего ИК диапазона с оптимальными энергетическими, пространственными и спектральными характеристиками излучения - важная научно-техническая задача. При этом получение многослойных гетероструктур ККЛ с оптимальными характеристиками на основе соединений А3В5 требует оптимизации технологии эпитаксиального роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). ККЛ среднего ИК диапазона в в основном разрабатываются с использованием системы материалов InGaAs/InAlAs, выращенных эпитаксиальными методами на монокристаллических подложках InP. Задача создания методом МПЭ гетероструктур ККЛ InGaAs/InAlAs/InP требует оптимизации условий роста и разработки соответствующей технологии. Достижение поставленных целей осуществлялось посредством решения следующих задач: - Составления аналитического обзора научно-технической литературы по технологии роста гетероструктур квантово-каскадных лазеров методом молекулярно-пучковой эпитаксии. - Исследования и сопоставления подходов к эпитаксиальному росту гетероструктур квантово-каскадных лазеров на основе соединений А3В5.