НИОКТР
№ 124060300031-2

Преобразователи узкополосного излучения на основе германия и антимонида галлия

27.05.2024

Проект направлен на создание и исследование высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) узкополосного (λ=1550 нм) излучения на основе германия и антимонида галлия. Основная идея, лежащая в основе Проекта, состоит в максимальном согласовании излучения монохроматического инфракрасного источника (лазерного, светодиодного, излучения нагретых селективных эмиттеров термофотоэлектрических систем) с областью фоточувствительности приемника в широком диапазоне плотностей мощности, а также определения технических возможностей ФЭП на основе Ge для систем дистанционного энергоснабжения. Отдельное внимание будет уделено управлению поверхностными свойствами исследуемых полупроводников пассивацией рабочей поверхности (широкозонным оптическим окном, диэлектрическими слоями, химическими способами), развитию концепции террасированных фотоэлементов, изысканию способов упрощения технологического цикла и снижения себестоимости ФЭП при сохранении высокой эффективности фотоэлектрического преобразования. Узкополосные ФЭП на основе германия за счет меньшей ширины запрещенной зоны будут проигрывать в КПД аналогам на основе GaSb, но обойдут их в стоимости, а также доступности исходных материалов. За счет большей прочности материала возможно уменьшение толщины ФЭП до 200 мкм, что даст экономию в расходе полупроводниковых слитков и повышение выхода годных образцов. С практической точки зрения ФЭП на основе Ge более устойчивы к пайке при высоких температурах. Выполнение комплекса экспериментальных исследований позволит: 1. разработать узкополосные ФЭП на основе германия; 2. оптимизировать рабочие параметры узкополосных ФЭП на основе GaSb; 3. увеличить долю эффективных преобразователей в технологической партии и воспроизводимость их свойств от процесса к процессу; 4. установить баланс между фотоэлектрическими и экономическими характеристиками ФЭП узкополосного излучения каждого типа и детализировать технологию их получения, в том числе для перспектив в серийном производстве. В целом накопление знаний о возможностях узкополосных ФЭП создаёт платформу для практического применения преобразователей в системах беспроводной передачи энергии и автономного электроснабжения. Масштабы их применения значительны, но систематического исследования преобразования лазерного излучения германием в мировой практике не проводилось.
ГРНТИ
44.41.35 Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
Ключевые слова
фотоэлектрический преобразователь
лазерное излучение
КПД
диффузия
беспроводная передача энергии
термофотоэлектрические системы
Детали

Начало
12.04.2024
Окончание
31.12.2025
№ контракта
24-29-20018
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 3 000 000 ₽
Похожие документы
Полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения для диапазона длин волн 1500-1750 нм
0.936
НИОКТР
Разработка и исследование фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения на основе гетероструктур InGaAs(P)/InP.
0.936
НИОКТР
Теоретико - экспериментальные исследование полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей высокомощного лазерного излучения видимого иинфракрасного диапазонов спектра на основе комбинации фосфидных и арсенидных твердых растворов.
0.935
НИОКТР
Фотоэлектрические преобразователи мощного лазерного излучения с вертикальным p/n переходом на основе AlGaAs
0.933
НИОКТР
Полупроводниковые наногетероструктуры для высокоэффективных термофотовольтаических элементов
0.928
НИОКТР
Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов
0.925
НИОКТР
Инфракрасная оптоэлектроника на основе узкозонных наногетероструктур полупроводников А3В5
0.924
НИОКТР
Разработка и исследование высокоэффективных фотопреобразователей лазерного излучения, созданных на основе А3В5 метаморфных гетероструктур
0.916
НИОКТР
Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой
0.916
НИОКТР
Разработка и изготовление лавинных фотодиодов и фототранзисторов коротковолнового инфракрасного диапазона на основе материалов IV группы (Ge, Si, Sn)
0.916
НИОКТР