»

Базы данных научно-технической информации

»

НИОКТР: Загрузка...

НИОКТР

№ 124021900043-0

Разработка установки электронно-лучевой литографии и базовых технологических процессов формирования на фотошаблоне топологических элементов ИС с проектными нормами 150 нм и прямого экспонирования полупроводниковых пластин

29.05.2024

Разрабатываемая Установка должна обеспечивать формирование топологических элементов ИС с проектными нормами 150 нм в маскирующем слое фотошаблона для проведения литографического процесса методом проекционной фотолитографии (масштаб изображения 4:1) и прямое экспонирование полупроводниковых пластин.

ГРНТИ

47.13.13 Технология и оборудование для производства радиодеталей и компонентов

Ключевые слова

Электронно-лучевая литография

Прямое экспонирование полупроводниковых пластин

Проектные нормы 150 нм

Детали

Начало

22.12.2023

Окончание

30.11.2026

№ контракта

23411.4732190019.05.025

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Исполнитель

АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗЕЛЕНОГРАДСКИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР"

Бюджет

Средства федерального бюджета: 2 250 000 000 ₽

ИКРБС

№ 225111119841-4

Похожие документы

ОТЧЕТ об опытно-конструкторской работе "Разработка установки электронно-лучевой литографии и базовых технологических процессов формирования на фотошаблоне топологических элементов ИС с проектными нормами 150 нм и прямого экспонирования полупроводниковых пластин", шифр "Прогресс ЭЛЛ 150" по теме: "Разработка технического проекта установки, анализ, программа и методика исследований и технические требования на отработку БТП, разработка рабочей документации для изготовления установки и эскизная и рабочая КД на стенд исследования и отработки БТП изготовления ФШ и экспонирования полупроводниковых пластин (промежуточный, этап 1)

Разработка электронно-лучевого литографа

Разработка технического проекта. Макетирование

Устройство для электронно-лучевой литографии

Устройство электронной литографии

Промышленная инновация

Формирование наноразмерных объектов методом проекционной литографии на длине волны 13.5 нм.

Разработка электронно-лучевого испарителя с высокой производительностью, равномерностью и воспроизводимостью для получения эпитаксиальных слоев германия на пластинах диаметром 150 мм

Разработка и изготовление промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического травления (ПХТ) кластерного типа с технологическими модулями: - модуль травления металлов; - модуль ICP RIE анизотропного высокоселективного травления кремния и поликремния; - модуль удаления фоторезистивных и полимерных слоев; - модуль травления высокоаспектных диэлектрических структур и роботизированной системой транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров

Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания элементов автоэмиссионной наноэлектроники методом локального ионно-стимулированного осаждения

Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания элементов автоэмиссионной наноэлектроники методом локального ионно-стимулированного осаждения