Способ изготовления полупроводникового прибора

Результат выполнения технологической разработки. Относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления слоя аморфного кремния с пониженным значением дефектности. Используется для производства полупроводниковых приборов. Задача разработки – снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Задача решается формированием слоя аморфного кремния фоторазложением молекул дисилана Si2H6 при воздействии луча эксимерного лазера энергией 140 мДж/импульс. Краткое описание технологии изготовления полупроводникового прибора: Предлагаемый способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и электродов к ним, подзатворного оксида. Слой аморфного кремния формируют фоторазложением молекул дисилана Si2H6 при воздействии луча эксимерного лазера энергией 140 мДж/импульс. Давление в реакционной камере 2,66⋅10-5 Па. Скорости осаждения из газовой фазы слоя аморфного кремния составляют 3,5 нм/с при расходе дисилана Si2H6 20 см3/мин, температуре подложки 400 °С и последующей термообработке при температуре 550 °С в течение 30 мин, в атмосфере аргона. По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 21,2 %. Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур соответствовала требованиям. Технический результат – снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Разработка защищена патентом № 2813176.