Способ изготовления полупроводникового прибора

Результат выполнения технологической разработки. Относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки и снижения влияния инжекции горячих носителей. Краткое описание технологии: Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости создавали активные области п-канального полевого транзистора по стандартной технологии, выращивался слой термического оксида SiO2 толщиной 10 нм окислением в сухом кислороде О2 при температуре 850 °С и атмосферном давлении в течение 50 мин. Затем проводили процесс азотирования 10-нанометрового термического оксидного слоя SiO2 в среде аммиака NH3 в течение 60 мин при температуре 850 °С и давлении 0,1 атм и последующее реоксидирование азотированного оксида в сухом О2 при атмосферном давлении, температуре 850 °С в течение 180 мин. Области полевого транзистора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Техническая задача разработки состоит в снижении токов утечки и влияния инжекции горячих носителей, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных приборов. Техническая задача решается предлагаемым способом изготовления полупроводникового прибора. Технический результат состоит в том, что реоксидирование обеспечивает удаление электронных ловушек и подавление образования состояний на границе раздела Si/SiO2 и, соответственно, снижение токов утечки и влияния инжекции горячих носителей. Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 19,9 %. Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. Разработка защищена патентом № 2833580.