Способ получения пленки графена на подложке

Способ получения пленки графена на подложке относится к области химии, и полученные пленки могут быть использованы в различных областях электроники, в частности, оптоэлектроники, а также в качестве прозрачных электродов и для создания приборов наноэлектроники нового поколения. Для решения задачи получения однородных качественных пленок графена при более низких температурах, простым и технологичным способом способ включает последовательное осаждение углерода из углеродсодержащего газа непосредственно на подложку, в качестве которой берут X–срез пьезоэлектрического кристалла, плоскости (110) которого параллельны поверхности кристалла, нагретую в вакууме до температуры 900 – 1450ºС, напуск углеродсодержащего газа и последующее откачивание реактора через 15 – 100 минут с одновременным охлаждением его до комнатной температуры.