Импульсный лавинный S-диод

Изобретение относится к импульсной технике, в частности к импульсным лавинным полупроводниковым диодам, полученным легированием GaAs хромом или железом, и предназначено для использования в системах силовой импульсной электроники. Техническим результатом являются устранение влияния инжекции электронов на протекание тока при обратном смещении π-ν-перехода до переключения S-диода, повышение напряжения переключения по сравнению со структурами, полученными легированием только хромом или железом, повышение надежности работы таких структур в схемах импульсного питания. В S-диоде, выполненном на основе n-π-ν-n структуры из арсенида галлия, компенсированного хромом, между n- и π- областями введена дополнительная область p-типа проводимости, толщина этого p-слоя не превышает 5·Ln, где Ln –диффузионная длина электронов в p-области. Илл.-2, библ. – 4.