Устройство для фотоэлектрического переключения лавинного импульсного S-диода

Полезная модель относится к импульсной технике, в частности, к устройствам переключения полупроводниковых импульсных диодов, и предназначена для использования в системах силовой импульсной электроники: источниках питания полупроводниковых лазеров, мощных полупроводниковых светодиодов, диодов Ганна. Может использоваться в системах сверхширокополосной локации; устройствах целеуказания и дальнометрии гражданского и военного назначения. Техническим результатом являются снижение неоднородности распределения плотности тока по площади электронно-дырочного перехода π-ν-n структуры в открытом состоянии, увеличение количества каналов разряда за счет более однородной оптической инжекции носителей заряда в активную область π-ν-n структуры и, как следствие, снижение сопротивления π-ν-n структуры в открытом состоянии и повышение КПД устройства. Устройство для переключения лавинного импульсного S-диода на основе легированной структуры GaAs, содержащее генератор электрических импульсов.