РИД
№ АААА-Г17-617120120005-7Способ выращивания кристаллов фуллерена С60
01.12.2017
Изобретение относится к области выращивания кристаллов из парогазовой фазы. Выращивание кристаллов фуллерена С60 проводят в ампуле, на внутреннюю поверхность которой предварительно наносят слой пироуглерода, препятствующий проникновению ультрафиолетового излучения во внутренний объём ампулы, что предотвращает полимеризацию поверхностных слоёв кристаллов фуллерена С60, причем весь многостадийный процесс выращивания проводят без вскрытия ампулы и перезагрузки кристаллов, что увеличивает выход годных кристаллов.
ГРНТИ
89.25.43 Космическая технология и материаловедение
Ключевые слова
РОСТ КРИСТАЛЛОВ
ФУЛЛЕРЕНЫ
Детали
Тип РИД
Изобретение
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук
Заказчик
Акционерное общество «Центр эксплуатации объектов наземной космической инфраструктуры»
Похожие документы
Способ изготовления образцов фуллерена С60 для спектроскопии
0.918
РИД
Способ запайки кварцевых ампул для выращивания кристаллов фуллерена С60
0.904
РИД
Способ синтеза эндоэдральных фуллеренов
0.882
РИД
Устройство для производства фуллеренсодержащей сажи
0.871
РИД
Разработка установки и технологии синтеза фуллеренов
0.864
НИОКТР
Лабораторная установка для производства фуллеренсодержащей сажи
0.864
РИД
Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава
0.863
РИД
Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава
0.863
РИД
Способ получения циклопропановыхт производных фуллеренов
0.860
РИД
Исследование самоорганизации фуллеренов C60 и C70 на модифицированной металлами поверхности Si(111)
0.859
Диссертация