Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава

23.01.2020

Изобретение относится к способу выращивания кристаллов из испаряющихся (летучих) растворов-расплавов. Рост кристалла ведут при обеспечении контроля степени пересыщения раствор-расплава путем повышения температуры раствор-расплава со скоростью нагревания на 0.2-2°С/час от начальной температуры кристаллизации. Изменение скорости повышения температуры позволяет эффективно управлять пересыщением и, следовательно, скоростью кристаллизации, что обеспечивает получение из испаряющихся раствор-расплавов кристаллов, пригодных для практического применения.

ГРНТИ

38.39.17 Синтез и превращение минералов и горных пород

Ключевые слова

ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ

ИСПАРЯЮЩИЙСЯ РАСТВОР-РАСПЛАВ

КОНТРОЛЬ СТЕПЕНИ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ

Детали

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

изготовление и поставка кристаллов заданного качества

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава

1.000

РИД

Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре

0.931

РИД

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА

0.917

РИД