РИД
№ АААА-Г18-618020720037-4Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов
07.02.2018
Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное создание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя. Далее создают сплошные омические контакты на тыльной и фронтальной поверхностях фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры, формирование контактной сетки осуществляют локальным травлением через маску фоторезиста с фронтальной поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры омического контакта и контактного слоя методом плазмохимического травления и ионно-плазменного травления. Проводят напыление просветляющего покрытия, разделение структуры на чипы и пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком.
ГРНТИ
44.41.35 Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
Ключевые слова
СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА
ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГИИ
Детали
Тип РИД
Изобретение
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
Способ формирования многослойного омического контакта к прибору на основе арсенида галлия
0.924
РИД
Способ изготовления фотовольтаического преобразователя
0.915
РИД
Способ изготовления упругих элементов микромеханических датчиков
0.911
Промышленная инновация
Способ изготовления интегральных преобразователей
0.908
Промышленная инновация
Способ изготовления тонкопленочного транзистора
0.904
РИД
Способ изготовления интегральных элементов микросхем на эпитаксиальных структурах арсенида галлия
0.903
Промышленная инновация
Способ создания фоточувствительной поверхностно-барьерной структуры
0.903
РИД
Способ получения толстопленочного контакта кремниевого фотоэлектрического преобразователя.
0.903
Промышленная инновация
Способ изготовления монокристаллического тонкопленочного многокомпонентного полупроводника
0.901
РИД
Способ изготовления многослойной тонкопленочной гетероструктуры с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления
0.901
Промышленная инновация