Установка для лужения высокотемпературных сверхпроводников второго поколения

Изобретение относится к изготовлению высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) второго поколения, в частности, к их лужению низкотемпературными припоями, конкретно, к установке для лужения. Установка для лужения ВТСП ленты, содержащая узел подачи ВТСП ленты, узел лужения ВТСП ленты, узел приёма лужёной ВТСП ленты и узел управления, где узел лужения ВТСП ленты включает средство для подачи флюса на ВТСП ленту, ванну для лужения и систему охлаждения, установленную за ванной для лужения, где ванна для лужения выполнена с возможностью расплавления в ней припоя и поддержания припоя в расплавленном состоянии и представляет собой металлический жёлоб с закреплёнными в каждом из его торцов, по меньшей мере, двумя блоками, выполненными из термостойкого полимера, обладающего антиадгезионными свойствами, и расположенными один под другим с возможностью образования между соседними блоками регулируемого зазора для протяжки ВТСП ленты в горизонтальном направлении. Техническим результатом изобретения