РИД
№ АААА-Г19-619020190049-1Пористый сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO3
01.02.2019
Пористый сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO3 содержит нижний электрод и верхний электрод, разделенные бездефектной кристаллической сегнетоэлектрической пленкой на основе цирконата-титаната свинца. В объеме сегнетоэлектрической пленки равномерно распределены поры. Сегнетоэлектрическая пленка, нижний электрод и верхний электрод сформированы методом химического осаждения из растворов. Нижний электрод и верхний электрод выполнены из идентичного материала – проводящего LaNiO3, имеющего перовскитную природу подобную сегнетоэлектрической пленке. Нижний электрод выполнен в виде столбчатых зерен перовскита с преимущественной кристаллографической ориентацией. Таким образом, предложенная полезная модель позволяет уменьшить стоимости пористого сегнетоэлектрического конденсатора за счет замены материала электродов на более дешевый и технологичный.
ГРНТИ
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.09.33 Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики
Ключевые слова
ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР
ЭЛЕКТРОДЫ
LANIO3
ПЕРОВСКИТ
Детали
Тип РИД
Полезная модель
Сферы применения
Полезная модель относится к области электрических устройств, а именно к электрическим конденсаторам с нелинейным диэлектриком, и может быть использована в технологии микроэлектронного производства широкого класса управляемых электрическим полем элементов и пьезоэлектрических устройств микромеханики, а также разнообразных датчиков, преобразователей и пьезоэлектрических генераторов электрической энергии.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
Самосовмещенный сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO
0.940
РИД
Сегнетоэлектрические пленки для электрооптики и элементов памяти: разработка методов формирования управляемой коэрцитивной силой
0.912
ИКРБС
Создание и исследование высокоэффективных конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов различных составов для перспективных энергонезависимых запоминающих устройств
0.909
НИОКТР
Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония
0.908
Диссертация
Конденсаторная керамика
0.902
РИД
-Электропроводность и барьерные эффекты в сегнетоэлектрических пленочных гетероструктурах
0.901
НИОКТР
Пленочный конденсатор
0.900
РИД
Сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария-стронция
0.900
РИД
Электропроводность и барьерные эффекты в сегнетоэлектрических пленочных гетероструктурах
0.897
ИКРБС
Напряженные сегнетоэлектрические кремниевые нанопроволочные транзисторы и диоды в структурах кремний-на-сапфире для терагерцовой электроники
0.896
НИОКТР