РИД
№ АААА-Г19-619061390034-8Способ изготовления алмазной дифракционной решетки
13.06.2019
Способ включает в себя формирование заданной периодической микроструктуры на поверхности полированного алмаза с помощью имплантации ионами бора с энергией 10-100 кэВ, дозой облучения 1⋅1015-1.0⋅1020 ион/см2 через поверхностную маску. Технический результат заключается в обеспечении возможности изготовления алмазных дифракционных решеток при помощи непрерывной имплантации ионами бора.
ГРНТИ
29.19.37 Теория магнитных свойств твердых тел
29.19.29 Сверхпроводники
29.31.27 Взаимодействие оптического излучения с веществом
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
АЛМАЗНАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА
ИОНЫ БОРА
СПОСОБ ЗОНДИРОВАНИЯ ЛАЗЕРНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Предложена новая методика формирования оптических дифракционных элементов на поверхности алмаза, основанная на имплантации алмаза ионами бора через маску.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ "ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КАЗАНСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
Заказчик
Федеральное агентство научных организаций
Похожие документы
Алмазная дифракционная решетка
0.917
РИД
Способ получения поликристаллических алмазных пленок
0.909
РИД
Способ увеличения размеров алмазов
0.909
РИД
Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза
0.900
РИД
Электрохимический способ металлизации алмазных частиц
0.899
Промышленная инновация
Способ получения алмазной пленки на твердосплавных изделиях из карбида вольфрама
0.898
РИД
Способ получения фотолюминесценции отдельных центров окраски в осажденном из газовой фазы алмазе
0.897
РИД
Разработка метода отделения тонких пластин широкозонных полупроводниковых материалов, в том числе сверхтвердых, с использованием метода ионной имплантации
0.896
НИОКТР
Расчет, изготовление методом лазерной абляции и исследование алмазной дифракционной линзы с непрерывным профилем
0.895
НИОКТР
Способ получения наноструктурированных алмазных покрытий на изделиях из вольфрама
0.895
РИД