Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых во входном дифференциальном каскаде на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом обеспечивается режим работы класса AB, а также более высокая стабильность статического режима в диапазоне отрицательных температур (до -197̊С).Краткое техническое описание: Предлагается схемотехника входного дифференциального каскада на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, в котором предусмотрена система мер, позволяющая обеспечить режим работы класса AB, а также работоспособность схемы при низких, в т.ч. криогенных температурах, а также в условиях воздействия проникающей радиации.