Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах

28.10.2020

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного JFet операционного усилителя без управляемых токовых зеркал, который обеспечивает малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля, а также повышенные коэффициент усиления по напряжению и коэффициент ослабления входных синфазных сигналов.Краткое техническое описание: в соответствии с формулой изобретения предлагается структу-ра радиационно-стойкого и низкотемпературного операционного усилителя (ОУ) на комплемен-тарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, в котором отсутствуют JFet токо-вые зеркала, являющиеся основным источником статических погрешностей в JFET ОУ

ГРНТИ

47.41.29 Фильтры

Ключевые слова

Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах

Детали

НИОКТР

№ АААА-А18-118101190075-2

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Область практического использования: электронные устройства автоматики и связи, предприятия и организации, занимающиеся разработкой и производством аналоговой электронной компонентной базы, в т.ч. предназначенной для обработки сигналов датчиков в условиях воздействия низких температур и радиации.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"

Заказчик

Российский научный фонд

Похожие документы

Операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом

0.951

РИД

Дифференциальный операционный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом

0.935